Wirkung des Ausblendeffekts in Halbleitergrenzschichten, d.h. ein Beschränken der Ladungsträger-Injektion in den Basisraum auf die vorderste Front der einlegierten Emitterzone und ein Beschränken der Lücherstrümung im Basisraum auf kurze Wege. Gefunden auf https://www.computer-automation.de/lexikon/?s=2&k=A&id=10176&page=1
Wirkung des Ausblendeffekts in Halbleitergrenzschichten, d.h. ein Beschränken der Ladungsträger-Injektion in den Basisraum auf die vorderste Front der einlegierten Emitterzone und ein Beschränken der Lücherstrümung im Basisraum auf kurze Wege.